×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安交通大学 [9]
内容类型
期刊论文 [4]
学位论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2018 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
发表日期:2018
专题:西安交通大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2 kV SiC Power MOSFETs compared with Si IGBTs for Wide Temperature Applications
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2018
作者:
Qi, Jinwei
;
Yang, Xu
;
Li, Xin
;
Tian, Kai
;
Mao, Zhangsong
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Cryogenic temperatures
Dynamic resistance
High-efficiency power conversions
High-frequency applications
Power conversion systems
SiC MOSFET
Switching characterization
Temperature applications
A Modified Single Pulse Method for Transient Thermal Impedance (TTI) Measurement of VDMOSFET Relates Gate Bias to the TTI Results
期刊论文
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2018, 卷号: 18, 页码: 383-391
作者:
Tang, Yankun
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Thermal character
MOSFET
transient thermal impedance
gate bias
pulse
Paralleled GaN DHEMTs integrated cascode GaN switch for high-current applications
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018, 卷号: 54, 页码: 899-900
作者:
Zhu, Tianhua
;
Zhuo, Fang
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/11/19
high-current applications
wire bonding
power density
avalanche-suppressed method
gallium compounds
GaN
integral package
lead bonding
single gate driver
field effect transistor switches
MOSFET
DHEMT integrated cascode switch
high electron mobility transistors
paralleled depletion-mode high-electron-mobility transistors
wide band gap semiconductors
cascode transistors
silicon-MOSFET
Si
potential unbalanced current sharing
cost reduction
optimised symmetric configuration
high-current cascode gallium nitride switch
III-V semiconductors
semiconductor device packaging
功率器件封装中铝线键合工艺的提升及可靠性研究
学位论文
2018
作者:
蒲文斌
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/11/26
MOSFET
可靠性实验
引线键合
参数优化
A Passive Component Based Gate Drive Scheme for Negative Gate Voltage Spike Mitigation in a SiC-Based Dual-Active Bridge
会议论文
作者:
Tian, Yidong
;
Yang, Xu
;
Xie, Ruiliang
;
Huang, Lang
;
Liu, Tao
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Gate drive scheme
Negative gate voltage spike
Magnetic bead
SiC MOSFET
基于 反激 变换 的高输入 电压 DC -DC 变换器 研
学位论文
2018
作者:
孔德志
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/11/26
高输入电压
DC-DC变换器
MOSFET串联
原边绕组分布电容
工作特性
面向碳化硅MOSFET模块的低电感封装与串联均压技术研究
学位论文
2018
作者:
任宇
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/11/26
碳化硅MOSFET
低感模块封装
串联驱动
串联均压
固态直流断路器
Design and Testing of 1 kV H-bridge Power Electronics Building Block Based on 1.7 kV SiC MOSFET Module
会议论文
作者:
Wang, Jun
;
Burgos, Rolando
;
Boroyevich, Dushan
;
Liu, Zeng
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/11/26
switching-cycle control
smart gate driver
digital control system
Power electronics building block
SiC MOSFET
Normally-off hydrogen-terminated diamond field-effect transistor with AL(2)O(3) dielectric layer formed by thermal oxidation of Al
期刊论文
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2018, 卷号: 81, 页码: 113-117
作者:
Wang, Yan-Feng
;
Chang, Xiaohui
;
Zhang, Xiaofan
;
Fu, Jiao
;
Fan, Shuwei
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Hydrogen-terminated
Diamond film
Normally-off
MOSFET
MPCVD
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace