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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Switching transient analysis for normally-Off GaN transistors with p-GaN gate in a phase-Leg circuit 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Wang, Hanxing;  Tian, Mofan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/26 Analysis approach  Dynamic behaviors  Gallium Nitride (GaN)  Gan transistors  Intrinsic capacitance  Static measurements  Switching transient  Threshold-voltage instabilities   Mechanism for an enhanced resistive switching effect of bilayer NiOx/TiO2 for resistive random access memory 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 722, 页码: 753-759 作者:  Zhou,Guangdong;  Xiao,Lihua;  Zhang,Shuangju;  Wu,Bo;  Liu,Xiaoqin 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/10/23 Electric-field  Devices  Bipolar  Films  Heterostructures  Transition  Behaviors  Filament  Matrix  Cells  Bilay Niox/tio2 Films  Resistive Switching Memory  Migration Of Oxygen Vacancy  Ag Conduction Filamens   Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: From a Schottky diode to resistive switching memory 期刊论文 Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 期号: 25, 页码: 6319-6327 作者:  Su, Teng-Yu;  Huang, Chi-Hsin;  Shih, Yu-Chuan;  Wang, Tsang-Hsuan;  Medina, Henry 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/11/14 Defects  Diodes  Rhenium compounds  RRAM  Schottky barrier diodes  Sputtering  Switching  Thin films  Titanium compounds  Conduction Mechanism  Defect distribution  Gradient distributions  Rectifying characteristics  Rectifying properties  Resistive Random Access Memory (ReRAM)  Resistive switching behaviors  Resistive switching memory