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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Spectroscopic ellipsometry study of SiC/Si heterostructures formed by high-dose C+ implantation into silicon 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2000, 卷号: 116, 期号: 3, 页码: 177-180 Yang, SH; Chen, DH; Li, HQ; Zhang, YL; Mo, D; Wong, SP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 ARC ION-SOURCE  CARBON IMPLANTATION   Nonlinear optical properties of Cu nanoparticles embedded in insulators by high-current Cu- implantation 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2000, 卷号: 166, 页码: 877-881 Takeda, Y; Zhao, JP; Lee, CG; Gritsyna, VT; Kishimoto, N 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 COPPER-ION IMPLANTATION  NANOCRYSTAL GROWTH  SILICA GLASSES  ABSORPTION  DEPENDENCE   Structural and electrical characteristics of oxygen-implanted 6H-SiC 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2000, 卷号: 169, 页码: 1-5 Wang, LW; Huang, JP; Duo, XZ; Song, ZT; Lin, CL; Zetterling, CM; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 ENHANCED THERMAL-OXIDATION  SILICON-CARBIDE  ION-IMPLANTATION  AMORPHIZATION  LAYERS   Nickel precipitation at nanocavities in separation by implantation of oxygen 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2000, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 2249-2253 Zhang, M; Zeng, XC; Chu, PK; Scholz, R; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 IMMERSION ION-IMPLANTATION  INDUCED CAVITIES  SILICON  COPPER   Investigation of damage behaviour and isolation effect of n-type 6H-SiC by implantation of oxygen 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1551-1555 Wang, LW; Huang, JP; Duo, XZ; Song, ZT; Lin, CL; Zetterling, CM; Ostling, M 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 ENHANCED THERMAL-OXIDATION  ION-IMPLANTATION  SILICON-CARBIDE  AMORPHIZATION  LAYERS