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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1998    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing behavior of inas/gaas quantum dot structures 期刊论文 Journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 作者:  Wang, ZM;  Feng, SL;  Lu, ZD;  Zhao, Q;  Yang, XP 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Inas/gaas  Quantum dots   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES   Solid-phase crystallization and dopant activation of amorphous silicon films by pulsed rapid thermal annealing 期刊论文 applied surface science, 1998, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 205-208 Wang YQ; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Diao HW; He J; Kong GL; Zhao YW; Li ZM; Yun F 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  solid-phase crystallization  rapid thermal annealing  LPCVD POLYCRYSTALLINE SILICON  LOW-TEMPERATURE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION