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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nucleation of diamond by pure carbon ion bombardment - a transmission electron microscopy study 期刊论文 Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: 3 作者:  Yao, Y;  Liao, MY;  Wang, ZG;  Lifshitz, Y;  Lee, ST 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Diamond nucleation by energetic pure carbon bombardment 期刊论文 Physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Yao, Y;  Liao, MY;  Kohler, T;  Frauenheim, T;  Zhang, RQ 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Nucleation of diamond by pure carbon ion bombardment - a transmission electron microscopy study 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: art.no.063103 Yao, Y; Liao, MY; Wang, ZG; Lifshitz, Y; Lee, ST 收藏  |  浏览/下载：49/20  |  提交时间：2010/03/17 BEAM DEPOSITION   Diamond nucleation by energetic pure carbon bombardment 期刊论文 physical review b, 2005, 卷号: 72, 期号: 3, 页码: art.no.035402 Yao Y; Liao MY; Kohler T; Frauenheim T; Zhang RQ; Wang ZG; Lifshitz Y; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：44/15  |  提交时间：2010/03/17 ION-BEAM DEPOSITION   Carbonization process of si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 作者:  Liao, MY;  Chai, CL;  Yao, ZY;  Yang, SY;  Liu, ZK 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Growth models  Ion bombardment  Reflection high energy electron diffraction  Physical vapor phase deposition  Semiconducting silicon compounds   Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams 期刊论文 Acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328 作者:  Liao, MY;  Qin, FG;  Chai, CL;  Liu, ZK;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Amorphous carbon  Surface morphology  Mass-selected low energy ion beam deposition   Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：83/8  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  growth models  ion bombardment  reflection high energy electron diffraction  physical vapor phase deposition  semiconducting silicon compounds  CUBIC GAN  GROWTH  DEPOSITION  EPITAXY  SILICON  DIAMOND   Influence of ion energy and deposition temperature on the surface morphology of carbon films deposited by ion beams 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324-1328 Liao MY; Qin FG; Chai CL; Liu ZK; Yang SY; Yao ZY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：127/13  |  提交时间：2010/08/12 amorphous carbon  surface morphology  mass-selected low energy ion beam deposition  TETRAHEDRAL AMORPHOUS-CARBON  BIAS-ENHANCED NUCLEATION  ATOMIC-FORCE MICROSCOPY  DIAMOND-LIKE CARBON  SILICON  GROWTH  MODEL