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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Mid-infrared transient reflectance study of the Dirac semimetal C d 3 A s 2 under strong optical pumping 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 101, 期号: 17, 页码: 174310 作者:  Guihao Zhai;   Chaoyang Ma;   Junsen Xiang;   Jialiang Ye;   Ting Li;   Ying Li;   Peijie Sun;   Genfu Chen;   Xiaoguang Wu;   Xinhui Zhang 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2021/06/17 Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted4H-SiC 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 72002 Wu, Hailei; Sun, Guosheng; Yang, Ting; Yan, Guoguo; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Liu, Xingfang; Zeng, Yiping; Wen, Jialiang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/14 Aluminum  Annealing  Ion implantation  Pressure effects  Semiconducting silicon compounds  Silicon carbide  Surface roughness   Multi-wafer3C-SiC thin films grown on Si(100) in a vertical HWLPCVD reactor 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 63001 Yan, Guoguo; Sun, Guosheng; Wu, Hailei; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Liu, Xingfang; Zeng, Yiping; Wen, Jialiang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/06/14 Chemical vapor deposition  Deposition  Electric resistance  Epitaxial growth  Film growth  Sheet resistance  Silicon carbide  Silicon wafers   High-quality homoepitaxial layers grown on4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 4, 页码: 43005 Wu, Hailei; Sun, Guosheng; Yang, Ting; Yan, Guoguo; Wang, Lei; Zhao, Wanshun; Liu, Xingfang; Zeng, Yiping; Wen, Jialiang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/06/14 Epitaxial growth  Ethylene  Growth rate  Morphology  Surface roughness