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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hybrid InGaAsP-Si Evanescent Laser by Selective-Area Metal-Bonding Method 期刊论文 photonics technology letters, 2013, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1180 - 1183 Yuan, L. ,Tao, L.; Yu, H.; Chen, W.; Lu, D.; Li, Y.; Ran, G.; Pan, J. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/03/19 Polarization of the edge emission from Ag/InGaAsP Schottky plasmonic diode 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 6, 页码: 061112 Wang, C.; Qu, H. J.; Chen, W. X.; Ran, G. Z.; Yu, H. Y.; Niu, B.; Pan, J. Q.; Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/22 Experimental observation of polarized electroluminescence from edge-emission organic light emitting devices 期刊论文 Applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 23, 页码: 3 作者:  Ran, G. Z.;  Jiang, D. F.;  Kan, Q.;  Chen, H. D. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Highly efficient phosphorescent organic light-emitting diode with a nanometer-thick ni silicide polycrystalline p-si composite anode 期刊论文 Optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 15, 页码: 15942-15947 作者:  Li, Y. Z.;  Wang, Z. L.;  Luo, H.;  Wang, Y. Z.;  Xu, W. J. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 1.54 mu m electroluminescence from p-si anode organic light emitting diode with bphen: er(dbm)(3)phen as emitter and bphen as electron transport material 期刊论文 Optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 13, 页码: 13542-13546 作者:  Wei, F.;  Li, Y. Z.;  Ran, G. Z.;  Qin, G. G. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Top-emission si-based phosphor organic light emitting diode with au doped ultrathin n-si film anode and bottom al mirror 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Li, Y. Z.;  Xu, W. J.;  Ran, G. Z.;  Qin, G. G. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium  Crystallisation  Diffusion  Elemental semiconductors  Gold  Organic light emitting diodes  Phosphors  Semiconductor thin films  Silicon  Sputter deposition   An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   Growth and characterization of algan/gan heterostructure using unintentionally doped aln/gan superlattices as barrier layer 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59 作者:  Zhang, M. L.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Yang, C. B. 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan heterostructure  Superlattices (sls)  Root mean square roughness (rms)  Sheet resistance   Au generation centres doped n(+)-si: hole-injection adjustable anode for efficient organic light emission 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 15, 页码: 5 作者:  Li, Y. Z.;  Ran, G. Z.;  Zhao, W. Q.;  Qin, G. G. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Combination of passivated si anode with phosphor doped organic to realize highly efficient si-based electroluminescence 期刊论文 Optics express, 2008, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 5158-5163 作者:  Zhao, W. Q.;  Ran, G. Z.;  Liu, Z. W.;  Bian, Z. Q.;  Sun, K. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12