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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2007 [1]
2005 [5]
2004 [2]
学科主题
微电子学 [6]
半导体材料 [2]
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Effect of implantation of nitrogen into SIMOX buried oxide on its fixed positive charge density
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 5446-5451
Zheng, ZS (Zheng Zhong-Shan)
;
Zhang, EX (Zhang En-Xia)
;
Liu, ZL (Liu Zhong-Li)
;
Zhang, ZX (Zhang Zheng-Xuan)
;
Li, N (Li Ning)
;
Li, GH (Li Guo-Hua)
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
SIMOX
Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/03/17
SOIPMOSFET
Effects of techniques of implanting nitrogen into buried oxide on the characteristics of partially depleted SOIPMOSFET
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 654-656
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/03/17
SCATTERING
Effects of the technology of implanting nitrogen into buried oxide layer on the characteristics of partially depleted SOI nMOSFET
期刊论文
acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 348-353
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/03/17
SOI
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 481-484
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Li GH
;
Ma HZ
;
Zhang EX
;
Zhang ZX
;
Wang X
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浏览/下载:32/5
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提交时间:2010/03/17
OXIDES
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
journal of electronic materials, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: l53-l56
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
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浏览/下载:193/29
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提交时间:2010/03/17
silicon-on-insulator (SOI)
Silicon-on-insulating multi-layers for total-dose irradiation hardness
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 1600-1603
Zhang EX
;
Yi WB
;
Liu XH
;
Chen M
;
Liu ZL
;
Xi W
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浏览/下载:379/54
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提交时间:2010/03/09
IMPLANTATION
Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and nitrogen implantation and multi-step annealing
期刊论文
semiconductor science and technology, 2004, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 571-573
Yi WB
;
Zhang EX
;
Chen M
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
;
Wang X
收藏
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浏览/下载:179/57
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提交时间:2010/03/09
LAYERS
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