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浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Increasing the photoluminescence intensity of ge islands by chemical etching 期刊论文 Chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Ge islands  Chemical etching  Photoluminescence  Si2h6-ge molecular beam epitaxy   Changing the size and shape of ge island by chemical etching 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Gao, F;  Huang, CJ;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Etching  Nanostructures  Molecular beam epitaxy  Semiconducting germanium  Semiconducting silicon   Effects of annealing time and si cap layer thickness on the si/sige/si heterostructures thermal stability 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 766-769 作者:  Gao, F;  Lin, YX;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Molecular beam epitaxy  Germanium silicon alloys  Semiconducting materials   Growth of sige heterojunction bipolar transistor using si2h6 gas and ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Semiconducting gegermanium  Semiconducting silicon  Bipolar transistors  Heterojunction semiconductor devices   Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：108/9  |  提交时间：2010/08/12 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  QUANTUM DOTS   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：149/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 766-769 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：97/14  |  提交时间：2010/08/12 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION   Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：175/52  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon  QUANTUM DOTS  INAS  GROWTH  STRAIN   Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Gao F; Lin YX; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 annealing  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting materials  STRAIN RELAXATION   The growth of si/sige/si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 457-460 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Lin, YX;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Gsmbe  Sige alloy  Doping  Sims  Hbt  Current gain