×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [20]
内容类型
期刊论文 [20]
发表日期
2020 [2]
2011 [1]
2008 [6]
2007 [9]
2005 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
微电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共20条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Near vacuum-ultraviolet aperiodic oscillation emission of AlN films
期刊论文
SCIENCE BULLETIN, 2020, 卷号: 65, 期号: 10, 页码: 827-831
作者:
Yanming Zhu
;
Richeng Lin
;
Wei Zheng
;
Junxue Ran
;
Feng Huang
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2021/06/17
Deep-ultraviolet aperiodic-oscillation emission of AlGaN films
期刊论文
OPTICS LETTERS, 2020, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1719-1721
作者:
Yanming Zhu
;
Wei Zheng
;
Junxue Ran
;
Feng Huang
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2021/12/16
High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 33002
Yin, Haibo
;
Wang, Xiaoliang
;
Ran, Junxue
;
Hu, Guoxin
;
Zhang, Lu
;
Xiao, Hongling
;
Li, Jing
;
Li, Jinmin
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Epitaxial growth
Gallium nitride
Growth temperature dependences of inn films grown by mocvd
期刊论文
Applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152
作者:
Yang, Cuibai
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Zhang, Xiaobin
;
Hua, Guoxin
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Inn
Mocvd
Mobility
Theoretical design and performance of inxga1-xn two-junction solar cells
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 24, 页码: 6
作者:
Zhang, Xiaobin
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Yang, Cuibai
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Influence of aln buffer layer thickness on the properties of gan epilayer on si(111) by mocvd
期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1710-1713
作者:
Luo, Weijun
;
Wang, Xiaoliang
;
Guo, Lunchun
;
Mao, Hongling
;
Wang, Cuimei
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Si(111)
Crack
Aln
Mocvd
Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd
期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
作者:
Luo, Weijun
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimie
;
Ran, Junxue
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Algan/gan
High electron mobility transistor (hemt)
Si (111)
The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
作者:
Luo, Weijun
;
Wang, Xiaoliang
;
Guo, Lunchun
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gallium nitride crack
Low temperature aluminum nitride
Interlayer
Silicon
The influence of 1 nm aln interlayer on properties of the al0.3ga0.7n/aln/gan hemt structure
期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781
作者:
Guo, Lunchun
;
Wang, Xiaoliang
;
Wang, Cuimei
;
Mao, Hongling
;
Ran, Junxue
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Hemt
2deg
Mobility
Polarization
Simulation of in0.65ga0.35n single-junction solar cell
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7335-7338
作者:
Zhang, Xiaobin
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Yang, Cuibai
;
Ran, Junxue
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/05/12
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace