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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dislocation scattering in alxga1-xn/gan heterostructures 期刊论文 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Xu, Xiaoqing;  Liu, Xianglin;  Han, Xiuxun;  Yuan, Hairong;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Dislocation density  Electron mobility  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Interface roughness  Semiconductor heterojunctions  Two-dimensional electron gas  Wide band gap semiconductors   一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  黎大兵;  韩修训 收藏  |  浏览/下载：65/14  |  提交时间：2009/06/11 Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 作者:  韩修训;  黎大兵 收藏  |  浏览/下载：57/3  |  提交时间：2009/06/11 Ⅲ族氮化物低维结构的生长及物性研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005 作者:  韩修训 收藏  |  浏览/下载：118/30  |  提交时间：2009/04/13 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 期刊论文 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 466-470 作者:  韩修训;  黎大兵 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/23