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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of an indium-doped barrier on enhanced near-ultraviolet emission from InGaN/AlGaN: In multiple quantum wells grown on Si(111) 期刊论文 nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: art.no.015402 Wu JJ (Wu Jiejun); Zhang GY (Zhang Guoyi); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping) 收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2010/03/29 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Twinning in Low-Temperature MOCVD Grown GaN on (001) GaAs Substrate 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 645-650 作者:  Wang Yutian 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究 期刊论文 核技术, 2002, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 770-774 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文 中国科学. E辑，技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589 作者:  王玉田;  赵德刚;  张书明 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23