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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Mobility Amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistor by Aluminum Oxide Passivation Layer 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017, 卷号: 38, 页码: 879-882 作者:  Hu, Shiben[1];  Lu, Kuankuan[1];  Ning, Honglong[1];  Zheng, Zeke[1];  Zhang, Hongke[1] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Aluminum oxide  copper  thin film transistors   High-performance back-channel-etched thin-film transistors with amorphous Si-incorporated SnO2active layer (EI收录) 期刊论文 Applied Physics Letters, 2016, 卷号: 108 作者:  Liu, Xianzhe[1];  Ning, Honglong[1];  Chen, Jianqiu[1];  Cai, Wei[1];  Hu, Shiben[1] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/24 Amorphous films  Amorphous silicon  Thin films  Threshold voltage  Tin oxides