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华南理工大学 [3]
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An Accurate Method to Extract and Separate Interface and Gate Oxide Traps by the MOSFET Subthreshold Current (CPCI-S收录)
会议论文
NANOTECHNOLOGY 2011: ELECTRONICS, DEVICES, FABRICATION, MEMS, FLUIDICS AND COMPUTATIONAL, NSTI-NANOTECH 2011, VOL 2
作者:
Zhang, Chenfei[1,2,3]
;
Ma, Chenyue[2,3]
;
Xu, Jiaojiao[1]
;
Wang, Ruonan[2]
;
Zhao, Xiaojin[2]
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提交时间:2019/04/15
Interface Trap
Gate Oxide Trap
Subthreshold Current
Analytic potential model for asymmetricunderlap gate-all-around MOSFET (CPCI-S收录)
会议论文
NANOTECHNOLOGY 2011: ELECTRONICS, DEVICES, FABRICATION, MEMS, FLUIDICS AND COMPUTATIONAL, NSTI-NANOTECH 2011, VOL 2
作者:
Wang, Shaodi[1,2]
;
Guo, Xinjie[1,2]
;
Zhang, Lining[2]
;
Zhang, Chenfei[1,2]
;
Liu, Zhiwei[2]
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/04/15
asymmetric
underlap
misalinment
gate-all-around
A Drift-Diffusion Model of Pinned Photodiode Enabling Opto-Electronic Circuit Simulation (CPCI-S收录)
会议论文
NANOTECHNOLOGY 2011: ELECTRONICS, DEVICES, FABRICATION, MEMS, FLUIDICS AND COMPUTATIONAL, NSTI-NANOTECH 2011, VOL 2
作者:
Su, Yanmei[1,2]
;
Wang, Laidong[1]
;
Lin, Xinnan[1]
;
He, Jin[1,2]
;
Zhao, Xiaojin[2]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/04/15
Keywords-Drift-Diffussion model
Pinned Photodiode
CMOS Image Sensors
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