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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 EGb 761 inhibits A beta(1-42)-induced neuroinflammatory response by suppressing P38 MAPK signaling pathway in BV-2 microglial cells 期刊论文 NEUROREPORT, 2019, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 434-440 作者:  Meng, Miaomiao;  Ai, Di;  Sun, Lingzhi;  Xu, Xiangqing;  Cao, Xiaolan 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Alzheimer's disease  EGb 761  neuroinflammatory response  nuclear  factor-kappa B  P38 MAPK   The lncRNA TUG1/miR-145-5p/FGF10 regulates proliferation and migration in VSMCs of hypertension 期刊论文 BIOCHEMICAL AND BIOPHYSICAL RESEARCH COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 501, 期号: 3, 页码: 688-695 作者:  Shi, Lin;  Tian, Caijun;  Sun, Lingzhi;  Cao, Feifei;  Meng, Zhaoyang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/11 Hypertension  Vascular remodeling  VSMCs  IncRNA TUG1  miR-145-5p  FGF10  Wnt/beta-catenin   Degradability of injectable calcium sulfate/mineralized collagen-based bone repair material and its effect on bone tissue regeneration 期刊论文 MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-MATERIALS FOR BIOLOGICAL APPLICATIONS, 2014, 卷号: 45, 页码: 94-102 作者:  Chen, Zonggang;  Kang, Lingzhi;  Meng, Qing-Yuan;  Liu, Huanye;  Wang, Zhaoliang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/17 Degradability  Mineralized collagen  Calcium sulfate  Bone repair  materials  Tissue regeneration   Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 522-525 作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Cai SJ(蔡树军);  Dun SB(敦少博);  Liu B(刘波) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructures  electron mobility  drain bias  electron scattering   Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 中国物理B：英文版, 2013, 期号: 06, 页码: 518-521 作者:  吕元杰[1,2];  冯志红[1];  蔡树军[1];  敦少博[1];  刘波[1] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 AlGaN/GaN heterostructures, electron mobility, drain bias, electron scattering