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Correlation Between Ultrafast Demagnetization Process and Gilbert Damping in Amorphous TbFeCo Films 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2013, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 3159-3162
作者:  Ren, Y;  Zuo, YL;  Si, MS;  Zhang, ZZ;  Jin, QY
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Programming resistive switching memory by a charged capacitor 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 卷号: 102, 期号: 4, 页码: 1003-1007
作者:  Zhang, S;  Liu, Q;  Wang, W;  Lv, HB;  Zuo, QY
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Highly Stable Radiation-Hardened Resistive-Switching Memory 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1470-1472
作者:  Wang, Y;  Lv, HB;  Wang, W;  Liu, Q;  Long, SB
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Nonvolatile multilevel memory effect in Cu/WO3/Pt device structures 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2010, 卷号: 4, 期号: 5-6, 页码: 124-126
作者:  
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Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 117-119
作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zhang, MH;  Liu, Q;  Shao, LB
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Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 045202-
作者:  Wang, Y;  Liu, Q;  Long, SB;  Wang, W;  Wang, Q
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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 期刊论文
微纳电子技术, 2009, 期号: 3, 页码: 134-140+153
作者:  李颖弢;  刘明;  龙世兵;  刘琦;  张森
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