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科研机构
兰州大学 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2013 [1]
2011 [1]
2010 [4]
2009 [1]
学科主题
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science & ... [1]
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Correlation Between Ultrafast Demagnetization Process and Gilbert Damping in Amorphous TbFeCo Films
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2013, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 3159-3162
作者:
Ren, Y
;
Zuo, YL
;
Si, MS
;
Zhang, ZZ
;
Jin, QY
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/05/25
Gilbert damping
time-resolved magneto-optical Kerr effect (TRMOKE)
ultrafast spin dynamics
TbFeCo films
Programming resistive switching memory by a charged capacitor
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2011, 卷号: 102, 期号: 4, 页码: 1003-1007
作者:
Zhang, S
;
Liu, Q
;
Wang, W
;
Lv, HB
;
Zuo, QY
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/05/25
Highly Stable Radiation-Hardened Resistive-Switching Memory
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 1470-1472
作者:
Wang, Y
;
Lv, HB
;
Wang, W
;
Liu, Q
;
Long, SB
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/05/25
Conductive filament
radiation
resistive random access memory (RRAM)
gamma ray
Nonvolatile multilevel memory effect in Cu/WO3/Pt device structures
期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2010, 卷号: 4, 期号: 5-6, 页码: 124-126
作者:
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/05/25
resistive switching
nonvolatile memory
multilevel
Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2010, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 117-119
作者:
Li, YT
;
Long, SB
;
Zhang, MH
;
Liu, Q
;
Shao, LB
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/05/25
Nonvolatile memory
resistance random access memory (RRAM)
resistive switching
ZrO2
Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 045202-
作者:
Wang, Y
;
Liu, Q
;
Long, SB
;
Wang, W
;
Wang, Q
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/05/25
基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究
期刊论文
微纳电子技术, 2009, 期号: 3, 页码: 134-140+153
作者:
李颖弢
;
刘明
;
龙世兵
;
刘琦
;
张森
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/04/27
阻变存储器
非挥发性存储器
I-V特性
阻变机制
工作原理
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