×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
兰州大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2007 [3]
2005 [1]
学科主题
712.1 Semi... [1]
712.1 Semi... [1]
712.1 Semi... [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
专题:兰州大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 9, 页码: 1411-1414
作者:
刘林生
;
王文新
;
刘肃
;
赵宏鸣
;
刘宝利
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/04/27
分子束外延
砷化镓衬底
铝镓砷材料
Aluminum gallium arsenide
Gallium arsenide substrate
Photoluminescence spectra
GaAs(110)量子阱的电子自旋弛豫
期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 856-859
作者:
刘林生
;
刘肃
;
王文新
;
赵宏鸣
;
刘宝利
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/04/27
电子自旋弛豫
多量子阱
分子束外延
Electron spin relaxation
Multiple quantum wells (MQWs)
Time resolved photoluminescence (TRPL)
GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性
期刊论文
光学精密工程/Guangxue Jingmi Gongcheng/Optics and Precision Engineering, 2007, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 678-683
作者:
刘林生
;
刘肃
;
王文新
;
赵宏鸣
;
刘宝利
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/04/27
光荧光谱
砷化镓
量子阱
分子束外延
GaAs
Material growth
Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED)
MEMS薄膜磁学特性的在线测试结构
期刊论文
微纳电子技术, 2005, 期号: 4, 页码: 184-187
作者:
刘林生
;
刘肃
;
黄庆安
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/04/27
磁导率
磁化强度
在线测试结构
微机电系统薄膜
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace