GaAs（110）量子阱的电子自旋弛豫

	GaAs（110）量子阱的电子自旋弛豫
	刘林生; 刘肃; 王文新; 赵宏鸣; 刘宝利; 高汉超; 蒋中伟; 王佳; 黄庆安; 陈弘
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2007-06-15
卷号	28 期号:6 页码:856-859
关键词	电子自旋弛豫多量子阱分子束外延 Electron spin relaxation Multiple quantum wells (MQWs) Time resolved photoluminescence (TRPL)
ISSN号	02534177
其他题名	Study of electron spin relaxation time in GaAs (110) quantum wells
通讯作者	Liu, L.
中文摘要	采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel'(DP)自旋弛豫机制,在GaAs(110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs(110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响.
学科主题	712.1 Semiconducting Materials;714.2 Semiconductor Devices and Integrated Circuits;741.1 Light/Optics;931.3 Atomic and Molecular Physics
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101335]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘林生,刘肃,王文新,等. GaAs（110）量子阱的电子自旋弛豫[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6):856-859.
APA	刘林生.,刘肃.,王文新.,赵宏鸣.,刘宝利.,...&周均铭.(2007).GaAs（110）量子阱的电子自旋弛豫.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,28(6),856-859.
MLA	刘林生,et al."GaAs（110）量子阱的电子自旋弛豫".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 28.6(2007):856-859.