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大连理工大学 [26]
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期刊论文 [23]
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2018 [2]
2017 [2]
2016 [4]
2014 [3]
2013 [2]
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Ultrastable Lead-Free Double Perovskite Photodetectors with Imaging Capability
期刊论文
ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2019, 卷号: 6
作者:
Li, Ying
;
Shi, Zhifeng
;
Lei, Lingzhi
;
Li, Sen
;
Yang, Dongwen
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/12/02
Cs2AgBiBr6
imaging
lead-free
photodetectors
stability
Localized Surface Plasmon Enhanced All-Inorganic Perovskite Quantum Dot Light-Emitting Diodes Based on Coaxial Core/Shell Heterojunction Architecture
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2018, 卷号: 28
作者:
Shi, Zhifeng
;
Li, Ying
;
Li, Sen
;
Li, Xinjian
;
Wu, Di
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/02
core/shell architectures
light-emitting diodes
perovskite
plasmonic nanoparticles
stability
Anomalous indium incorporation and optical properties of high indium content InGaN grown by MOCVD
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 735, 页码: 1239-1244
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Abbas, Qasim
;
Liu, Yang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
InGaN
High indium content
Optical properties
Indium incorporation
MOCVD
Indium Incorporation Induced Morphological Evolution and Strain Relaxation of High Indium Content InGaN Epilayers Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2017, 卷号: 17, 页码: 3411-3418
作者:
Liu, Jianxun
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Liu, Yang
;
Liu, Jun
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/02
UV-visible broad spectrum light emitting device of ZnO/MgO/ITO structure
期刊论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2017, 卷号: 187, 页码: 428-432
作者:
Zhuang, Shiwei
;
Wu, Bin
;
Xu, Heng
;
Chi, Chen
;
Zhang, Yuantao
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/02
Effects of AlN buffer on the physical properties of GaN films grown on 6H-SiC substrates
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 卷号: 27, 页码: 1738-1744
作者:
Huang, Zhen
;
Zhang, Yuantao
;
Zhao, Baijun
;
Yang, Fan
;
Jiang, Junyan
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/09
Vertically conducting deep-ultraviolet light-emitting diodes with interband tunneling junction grown on 6H-SiC substrate
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 页码: -
作者:
Liang, Hongwei
;
Tao, Pengcheng
;
Xia, Xiaochuan
;
Chen, Yuanpeng
;
Zhang, Kexiong
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/09
Crack-free Al0.5Ga0.5N epilayer grown on SiC substrate by in situ SiNx interlayer
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2016, 卷号: 41, 页码: 291-296
作者:
Tao, Pengcheng
;
Liang, Hongwei
;
Xia, Xiaochuan
;
Chen, Yuanpeng
;
Yang, Chao
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/09
SiC
AlGaN
SiNx interlayer
Metal organic chemical vapor deposition
Improvements of epitaxial quality and stress state of GaN grown on SiC by in situ SiNx interlayer
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 卷号: 27, 页码: 10003-10009
作者:
Huang, Zhen
;
Zhang, Yuantao
;
Deng, Gaoqiang
;
Li, Baozhu
;
Cui, Shuang
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/09
Evolution of the crystallographic planes of cone-shaped patterned sapphire substrate treated by wet etching
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 295, 页码: 26-30
作者:
Yang, Dechao
;
Liang, Hongwei
;
Qiu, Yu
;
Shen, Rensheng
;
Liu, Yang
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/09
Patterned sapphire substrate
Wet etching
Crystallographic planes
Etching zones
Etching rate
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