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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of AlN buffer on the physical properties of GaN films grown on 6H-SiC substrates 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 卷号: 27, 页码: 1738-1744 作者:  Huang, Zhen;  Zhang, Yuantao;  Zhao, Baijun;  Yang, Fan;  Jiang, Junyan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/09 Improvements of epitaxial quality and stress state of GaN grown on SiC by in situ SiNx interlayer 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, 2016, 卷号: 27, 页码: 10003-10009 作者:  Huang, Zhen;  Zhang, Yuantao;  Deng, Gaoqiang;  Li, Baozhu;  Cui, Shuang 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09