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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 DANoC: An Efficient Algorithm and Hardware Codesign of Deep Neural Networks on Chip 期刊论文 2018, 卷号: 29, 页码: 3176-3187 作者:  Zhou, Xichuan[1,2];  Li, Shengli[2];  Tang, Fang[2];  Hu, Shengdong[2];  Lin, Zhi[2] 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/28 A Spatial-Temporal Method to Detect Global Influenza Epidemics Using Heterogeneous Data Collected from the Internet 期刊论文 2018, 卷号: 15, 页码: 802-812 作者:  Zhou, Xichuan[1,2];  Yang, Fan[2];  Feng, Yujie[3];  Li, Qin[4];  Tang, Fang[2] 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/28 Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction 期刊论文 2016, 卷号: 55 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Peng, Yue[1];  Liu, Yan[2] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30 Theoretical Investigation of Performance Enhancement in GeSn/SiGeSn Type-II Staggered Heterojunction Tunneling FET 期刊论文 2016, 卷号: 63, 页码: 303-310 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1];  Liu, Yan[2];  Hu, Shengdong[3];  Zhang, Chunfu[1] 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/30 Design of GeSn-Based Heterojunction-Enhanced N-Channel Tunneling FET With Improved Subthreshold Swing and ON-State Current 期刊论文 2015, 卷号: 62, 页码: 1262-1268 作者:  Liu, Mingshan[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Zhang, Qingfang[1];  Zhang, Chunfu[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28 Investigation of performance enhancement in InAs/InGaAs heterojunction-enhanced N-channel tunneling field-effect transistor 期刊论文 2015, 卷号: 88, 页码: 90-98 作者:  Han, Genquan[1,2];  Zhao, Bin[1];  Liu, Yan[1];  Wang, Hongjuan[1];  Liu, Mingshan[1] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28 Realizing high breakdown voltage for a novel interface charges islands structure based on partial-SOI substrate 期刊论文 2012, 卷号: 52, 页码: 692-697 作者:  Hu, Shengdong[1,2];  Luo, Jun[2];  Tan, Kaizhou[2];  Zhang, Ling[1];  Li, Zhaoji[3] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/28 A novel analytical model of the vertical breakdown voltage on impurity concentration in top silicon layer for SOI high voltage devices 期刊论文 2011, 卷号: 98, 页码: 973-980 作者:  Hu, Shengdong[1,2];  Zhang, Bo[2];  Li, Zhaoji[2] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/28 Complementary charge islands structure for a high voltage device of partial-SOI 期刊论文 2011, 卷号: 32 作者:  Wu, Lijuan[1,2];  Hu, Shengdong[1,3];  Zhang, Bo[1];  Li, Zhaoji[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/30 Theoretical calculation of performance enhancement in lattice-matched SiGeSn/GeSn p-channel tunneling field-effect transistor with type-II staggered tunneling junction 会议论文 Sapporo, JAPAN, SEP 27-30, 2015 作者:  Wang, Hongjuan[1];  Han, Genquan[1,2];  Wang, Yibo[1];  Peng, Yue[1];  Liu, Yan[2] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/30