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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SrTiO3衬底上的Ba0.7Sr0.3TiO3/YBa2Cu3O7-δ外延生长薄膜的界面结构研究 期刊论文 Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2004, 卷号: 23, 页码: 152 Qi XY; Yang H; Kong X; Hu GQ; Duan XF; Zhao BR 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/24 Transmission electron microscopy of Ba0.7Sr0.3TiO3/YBa2Cu3O7-delta epitaxial films on (001) SrTiO3 substrates 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 353 Qi, XY; Yang, H; Kong, X; Hu, GQ; Duan, XF; Zhao, BR 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/23 THIN-FILMS  YBA2CU3O7-DELTA FILMS  BA0.5SR0.5TIO3 FILMS  ELASTIC RELAXATION  DIFFRACTION  DENSITY  LAYERS   Formation mechanism of amorphous layer at the interface of Si(111) substrate and AlN buffer layer for GaN 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 2003, 卷号: 22, 期号: 22, 页码: 1581 Hu, GQ; Kong, X; Wang, YQ; Wan, L; Duan, XF; Lu, Y; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURES   The growth morphologies of GaN layer on Si(111) substrate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 91 Lu, YA; Liu, XL; Lu, DC; Yuan, HR; Hu, GQ; Wang, XH; Wang, ZG; Duan, XF 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION LAYERS  BUFFER LAYER  SILICON  SAPPHIRE  NITRIDE  EPITAXY  STRESS  STRAIN   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416 Hu, GQ; Kong, X; Wan, L; Wang, YQ; Duan, XF; Lu, Y; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Transmission electron microscopy and atomic force microscopy studies of GaN films grown on AlAs/GaAs(001) substrates 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 252, 期号: 4, 页码: 517 Hu, GQ; Wan, L; Duan, XF; Chen, H; Li, DS; Han, YJ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HEXAGONAL GAN  NUCLEATION  GAAS   Measurements of leucocyte membrane elasticity based on the optical tweezers 期刊论文 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2003, 卷号: 48, 期号: 5, 页码: 503 Guo, HL; Cao, QH; Ren, DT; Liu, GQ; Duan, JF; Li, ZL; Zhang, DZ; Han, XH 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/18 MANIPULATION  CELLS  FORCE   Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811 Hu, GQ; Kong, X; Wan, L; Wang, YQ; Duan, XF; Lu, Y; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY   Polarity determination for GaN thin films by electron energy-loss spectroscopy 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 81, 期号: 11, 页码: 1990 Kong, X; Hu, GQ; Duan, XF; Lu, Y; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 DELOCALIZATION CORRECTIONS  ENHANCED MICROANALYSIS  SINGLE-CRYSTALS  DIFFRACTION   Microstructure and formation mechanism of titanium dioxide nanotubes 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 365, 期号: 5-6, 页码: 427 Wang, YQ; Hu, GQ; Duan, XF; Sun, HL; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/18 TIO2  ANATASE  SURFACES  FILMS