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Application of BEM to high-voltage junction termination 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS, 2001, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1218-1225
作者:  Wu, ZL;  Gao, YM;  Luo, JS;  Hou, X;  Chen, GF
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On "pure self-heating effect" of MOSFET in SOI 会议论文
作者:  Zheng, TL;  Luo, JS;  Zhang, X
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Silicon-film thickness dependence of static characteristics of high-voltage MOSFET in thin-film SOI 期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2000, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 380-383
作者:  Zheng, TL;  Luo, JS
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Anharmonicity of local vibrational mode of carbon acceptor in GaAs and its effect on main absorption band 期刊论文
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS, 1999, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 792-793
作者:  Yang, RX;  Li, GP;  Jia, XH;  Luo, JS
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A novel model for microwave C-V characteristics of an integrated planar schottky varactor diode in MMICS 期刊论文
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 1998, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 436-439
作者:  Tian, T;  Luo, JS;  Li, ZH;  Chen, TS;  Lin, JT
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Analysis of the FP-JTE planar junction termination 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1998, 卷号: 42, 期号: 11, 页码: 2097-2100
作者:  Wu, ZL;  Gao, YM;  Liang, SJ;  Luo, JS
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The investigation of d.c. magnetron reactively sputtered AlN films applied to GaAs devices passivation 会议论文
作者:  Cao, X;  Luo, JS;  Chen, TS;  Chen, KJ
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A novel analytical physical model for thin film SOI RESURF structure based on 2-D Poisson equation 会议论文
作者:  Li, WH;  Luo, JS
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The total dose effect on two types of CMOS devices 会议论文
作者:  Zhang, ZX;  Luo, JS;  Yuan, RF;  He, BP;  Jiang, JH
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Physics based analytic model for C-V characteristics of GaAs planar Schottky diodes 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1998, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 458-462
作者:  Tian, T;  Luo, JS;  Lin, JT
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