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| 用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度 期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2004
张贺秋; 许铭真; 谭长华
  收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2015/11/11
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| Stress induced leakage current in different thickness ultrathin gate oxide MOSFET 期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2004
Zhang, Heqiu; Xu, Mingzhen; Tan, Changhua
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/16 |
| Empirical direct tunneling current expression for ultra-thin oxide nMOSFETs 期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2004
Zhang, Heqiu; Xu, Mingzhen; Tan, Changhua
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/16 |
| 不同厚度超薄栅氧化物MOSFET的应力诱导漏电流 期刊论文
半导体学报, 2004
张贺秋; 许铭真; 谭长华
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/12
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| 一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式 期刊论文
半导体学报, 2004
张贺秋; 许铭真; 谭长华
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/12
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| 超薄栅氧化物pMOSFET器件在软击穿后的特性 期刊论文
半导体学报, 2003
张贺秋; 许铭真; 谭长华
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2015/11/11
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| Characteristics of ultra-thin oxide pMOSFET device after soft breakdown 期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2003
Zhang, Heqiu; Xu, Mingzhen; Tan, Changhua
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2015/11/16 |
| 超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流 期刊论文
半导体学报, 2002
张贺秋; 毛凌锋; 许铭真; 谭长华
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/10/23
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| Effect of neutral traps on tunneling current and SILC in ultrathin oxide layer 期刊论文
pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2002
Zhang, Heqiu; Mao, Lingfeng; Xu, Mingzhen; Tan, Changhua
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2015/11/17 |
| 粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响 期刊论文
半导体学报, 2001
毛凌锋; 谭长华; 许铭真; 卫建林; 穆甫臣; 张贺秋
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2015/11/11
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