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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analytic potential model for asymmetricunderlap gate-all-around MOSFET (CPCI-S收录) 会议论文 NANOTECHNOLOGY 2011: ELECTRONICS, DEVICES, FABRICATION, MEMS, FLUIDICS AND COMPUTATIONAL, NSTI-NANOTECH 2011, VOL 2 作者:  Wang, Shaodi[1,2];  Guo, Xinjie[1,2];  Zhang, Lining[2];  Zhang, Chenfei[1,2];  Liu, Zhiwei[2] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/15 asymmetric  underlap  misalinment  gate-all-around