×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海微系统与信息技... [12]
高能物理研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [15]
发表日期
2012 [2]
2011 [10]
2009 [3]
学科主题
Physics [15]
Multidisci... [5]
Nuclear; P... [1]
Particles ... [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:Physics
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Ning, BX
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Chen, M
;
Zou, SC(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:50/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX
;
Ning, BX
;
Bi, DW
;
Chen, M
;
Zou, SC
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2013/04/17
total ionizing dose
shallow trench isolation
oxide trapped charge
metal-oxide-semiconductor field effect transistor
Radiation induced inter-device leakage degradation
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 769-773
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/04/10
CHINESE PHYSICAL SOC
Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Bi,DW
;
Chen,M
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120702
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao-Hua
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Bi,DW
;
Chen,M
;
Zou,SC
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/04/10
CHINESE PHYSICAL SOC
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Shao, H
;
Chen, M
;
Bi, DW
;
Ning, BX
;
Zou, SC(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103
Liu, ZL
;
Hu, ZY
;
Zhang, ZX(重点实验室)
;
Shao, H
;
Ning, BX
;
Bi, DW(重点实验室)
;
Chen, M
;
Zou, SC(重点实验室)
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace