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科研机构
上海微系统与信息技... [82]
内容类型
期刊论文 [82]
发表日期
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2009 [3]
2008 [6]
2007 [13]
2006 [3]
2005 [2]
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学科主题
Physics, ... [82]
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学科主题:Physics, Applied
专题:上海微系统与信息技术研究所
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High performance external cavity InAs/InP quantum dot lasers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: 121102
Chen, P
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Li, SG
;
Wang, Y
;
Liu, QB
;
Yue, L
;
Zhang, YG
;
Feng, SL(封松林)
;
Ma, CH
;
Wang, HL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/10
AMER INST PHYSICS
Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 80212-80212
Ren, K
;
Rao, F
;
Song, ZT
;
Wu, LC
;
Zhou, XL
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Xi, W
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
SB2TE3
FILMS
ALLOYS
Second-harmonic generation in one-dimensional metal gratings with dual extraordinary transmissions
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 107, 期号: 5, 页码: 53108-53108
Kang, M
;
Li, YN
;
Lou, K
;
Li, SM
;
Bai, Q
;
Chen, J
;
Wang, HT
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/24
CRYSTALS
Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251111-251111
Li, SG
;
Gong, Q
;
Lao, YF
;
Yang, HD
;
Gao, S
;
Chen, P
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Feng, SL
;
Wang, HL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
GAAS
OPERATION
INP
Comparison of Thermal Stability and Electrical Characterization between Ge2Sb2Te5 and Ge1Sb2Te4 Phase-Change Materials
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 121104-121104
Liu, D
;
Xu, L
;
Liao, YB
;
Dai, M
;
Zhao, L
;
Xu, J
;
Wu, LC
;
Ma, ZY
;
Chen, KJ
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
MEMORY
Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 卷号: 2, 期号: 9, 页码: 91401-91401
Zhou, XL
;
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Rao, F
;
Liu, B
;
Yao, DN
;
Yin, WJ
;
Li, JT
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201
Shen, J
;
Liu, B
;
Song, Z
;
Xu, C
;
Rao, F
;
Liang, S
;
Feng, S
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
CHANGE OPTICAL DISK
PHASE-CHANGE MEMORY
GE2SB2TE5 FILM
HIGH-DENSITY
DEVICE
Phase change memory cell using tungsten trioxide bottom heating layer
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 92, 期号: 22, 页码: 223507-223507
Rao, F
;
Song, ZT
;
Gong, YF
;
Wu, LC
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, BM
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/03/24
Temperature influence on electrical properties of Sb-Te phase-change material
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 843-846
Wang, F
;
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, CL
;
Wu, LC
;
Liu, B
;
Feng, SL
;
Chen, B
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
CELL
Phase change memory based on Ge2Sb2Te5 capped between polygermanium layers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 92, 期号: 11, 页码: 113503-113503
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Gong, YF
;
Lin, Y
;
Xu, C
;
Chen, YF
;
Liu, B
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/03/24
RANDOM-ACCESS MEMORY
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