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半导体研究所 [19]
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期刊论文 [19]
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学科主题
半导体物理 [19]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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Size evolution and surface characterization of solid-state nanopores in different aqueous solutions
期刊论文
nanoscale, 2012, 卷号: 4, 期号: 5, 页码: 1572-1576
Li, QT
;
Zhao, Q
;
Lu, B
;
Zhang, HB
;
Liu, S
;
Tang, ZP
;
Qu, LJ
;
Zhu, R
;
Zhang, JM
;
You, LP
;
Yang, FH
;
Yu, DP
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/03/17
Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474
Zhang, Y
;
Han, CL
;
Gao, JF
;
Zhu, ZP
;
Wang, BQ
;
Zeng, YP
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浏览/下载:55/6
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提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
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浏览/下载:54/6
  |  
提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 11, 页码: 2879-2882
Qiu ZJ
;
Jiang CP
;
Gui YS
;
Shu XZ
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
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浏览/下载:252/35
  |  
提交时间:2010/08/12
MM-HEMT
Shubnikov-de Hass oscillation
MOBILITY TRANSISTORS
ALLOY SCATTERING
HIGH-PERFORMANCE
GAAS
Silicon doping induced increment of quantum dot density
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:
Duan RF
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
MBE
silicon
doping
density
InGaAs/GaAs
SAOD
INGAAS
ISLANDS
GAAS
Zero-field spin splitting in In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates using Shubnikov-de Haas measurements
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 17, 页码: 3132-3134
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Lin LY
;
Jiang CP
;
Guo SL
;
Chu JH
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浏览/下载:86/27
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
HETEROSTRUCTURES
HEMTS
B->O
GAS
Rapid thermal annealing effects on step-graded InAlAs buffer layer and In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As metamorphic high electron mobility transistor structures on GaAs substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 2429-2432
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Wang BQ
;
Wu J
;
Zhu ZP
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:70/6
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提交时间:2010/08/12
HEMTS
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4423-4426
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/08/12
INP(001)
EPITAXY
GAAS
The keys to get high transconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
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浏览/下载:102/6
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
pseudomorphic HEMTs
photoluminescence
Longitudinal optic phonon-plasmon coupling in delta-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 1375-1377
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Li ZF
;
Yu J
;
Guo SL
;
Lu W
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
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浏览/下载:76/2
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
ACCUMULATION LAYER
RAMAN-SCATTERING
EXCITATIONS
GA1-XINXAS
SPECTRA
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