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科研机构
半导体研究所 [62]
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期刊论文 [54]
会议论文 [8]
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2013 [1]
2012 [6]
2011 [6]
2010 [6]
2009 [2]
2007 [2]
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学科主题
半导体材料 [62]
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学科主题:半导体材料
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Anomalous circular photogalvanic effect of the spin-polarized two-dimensional electron gas in Mg0.2Zn0.8O/ZnO heterostructures at room temperature
期刊论文
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 19, 页码: 192405 - 192405-4
J. X. Duan, N. Tang, J. D. Ye, F. H. Mei, K. L. Teo, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/02/12
Effect of growth temperature on surface morphology and structure of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 359, 页码: 55-59
Li LG (Li, Li-Gong)
;
Liu SM (Liu, Shu-Man)
;
Luo S (Luo, Shuai)
;
Yang T (Yang, Tao)
;
Wang LJ (Wang, Li-Jun)
;
Liu JQ (Liu, Jun-Qi)
;
Liu FQ (Liu, Feng-Qi)
;
Ye XL (Ye, Xiao-Ling)
;
Xu B (Xu, Bo)
;
Wang ZG (Wang, Zhan-Guo)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/03/26
Formation of AsxSb1-x mixing interfaces in InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
epl, 2012, 卷号: 97, 期号: 3, 页码: 36001
Li, LG
;
Liu, SM
;
Luo, SA
;
Yang, T
;
Wang, LJ
;
Liu, FQ
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Wang, ZG
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/17
Study on properties of the H1 photonic crystal slab cavity using the effective index perturbation method
期刊论文
acta physica sinica, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 54202
Zhou, WF
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Zhang, SZ
;
Wang, ZG
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/03/17
Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities
期刊论文
microelectronic engineering, 2012, 卷号: 93, 页码: 1-4
Peng, Y.S
;
Xu, B
;
Ye, X.L
;
Jin, P
;
Wang, Z.G
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/05/07
Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled In As quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities
期刊论文
microelectronic engineering, 2012, 卷号: 93, 页码: 1-4
Peng, YS
;
Xu, B
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/03/17
Metalorganic chemical vapor deposition growth of InAs/GaSb type II superlattices with controllable As (x) Sb1-x interfaces
期刊论文
nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 页码: 160
Li, LG
;
Liu, SM
;
Luo, S
;
Yang, T
;
Wang, LJ
;
Liu, FQ
;
Ye, XL
;
Xu, B
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/03/17
Thermal carrier processes in bimodal-sized quantum dots with different lateral coupling strength
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 31903
Zhou XL
;
Chen YH
;
Li TF
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/02/06
REDISTRIBUTION
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2011/07/05
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
QUANTUM-DOTS
ANODIC ALUMINA
ARRAYS
PLACEMENT
INAS
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