QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2014, 卷号: 396, 页码: 33-37 Du, WN; Yang, XG; Wang, XY; Pan, HY; Ji, HM; Luo, S; Yang, T; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/04/02 Enhanced performance of quantum dot solar cells based on type II quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 13, 页码: 133102 Xu, F; Yang, XG; Luo, S; Lv, ZR; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/03/20 Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si(111) by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2014, 卷号: 395, 页码: 55-60 Wang, XY; Yang, XG; Du, WN; Ji, HM; Luo, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/25 Theoretical study of the effects of InAs/GaAs quantum dot layer's position in i-region on current-voltage characteristic in intermediate band solar cells 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 8, 页码: 081118 Gu YX (Gu, Yong-Xian); Yang XG (Yang, Xiao-Guang); Ji HM (Ji, Hai-Ming); Xu PF (Xu, Peng-Fei); Yang T (Yang, Tao) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/04/02 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   (Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting III-V materials  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  INJECTION  GAAS  MN   Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  buffer layer  threading dislocation  transmission electron microscopy  LASER-DIODES  GROWN GAN  FILMS  SAPPHIRE  NITRIDE  DEFECTS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION