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半导体研究所 [27]
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2011 [8]
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2009 [2]
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学科主题
半导体材料 [27]
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学科主题:半导体材料
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First-principles study of structural, elastic and lattice dynamical properties of chalcopyrite BeSiV2 and MgSiV2 (V = P, As, Sb)
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2014, 卷号: 611, 页码: 210-218
Shi, LW
;
Hu, J
;
Qin, Y
;
Duan, YF
;
Wu, L
;
Yang, XQ
;
Tang, G
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/03/25
Identification of Helicity-Dependent Photocurrents from Topological Surface States in Bi2Se3 Gated by Ionic Liquid
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 4889
Duan, JX
;
Tang, N
;
He, X
;
Shen, B
;
Yan, Y
;
Zhang, S
;
Qin, XD
;
Wang, XQ
;
Yang, XL
;
Xu, FJ
;
Chen, YH
;
Ge, WK
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2015/04/02
Evidence of Type-II Band Alignment in III-nitride Semiconductors: Experimental and theoretical investigation for In0.17Al0.83N/GaN heterostructures
期刊论文
scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 6521
Wang, JM
;
Xu, FJ
;
Zhang, X
;
An, W
;
Li, XZ
;
Song, J
;
Ge, WK
;
Tian, GS
;
Lu, J
;
Wang, XQ
;
Tang, N
;
Yang, ZJ
;
Li, W
;
Wang, WY
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Shen, B
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/03/20
Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 10-14
Li, ZW
;
Wei, HY
;
Xu, XQ
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/17
Morphological Evolution of a-GaN on r-Sapphire by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 26801
Sang, L
;
Liu, JM
;
Xu, XQ
;
Wang, J
;
Zhao, GJ
;
Liu, CB
;
Gu, CY
;
Liu, GP
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/03/17
Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 10-14
Li, ZW
;
Wei, HY
;
Xu, XQ
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/03/17
Structural, electronic and elastic properties of wurtzite-structured TlxAl1-xN alloys from first principles
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2012, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 499-504
Shi LW (Shi, Liwei)
;
Duan YF (Duan, Yifeng)
;
Yang XQ (Yang, Xianqing)
;
Tang G (Tang, Gang)
;
Qin LX (Qin, Lixia)
;
Qiu L (Qiu, Liang)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/03/27
Band structure, phase transition, phonon and elastic instabilities in calcium polonide under pressure: A first-principles study
期刊论文
solid state communications, 2012, 卷号: 152, 期号: 22, 页码: 2058-2062
Shi LW (Shi, Liwei)
;
Wu L (Wu, Ling)
;
Duan YF (Duan, Yifeng)
;
Hao LZ (Hao, Lanzhong)
;
Hu J (Hu, Jing)
;
Yang XQ (Yang, Xianqing)
;
Tang G (Tang, Gang)
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/03/26
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
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