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半导体研究所 [17]

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半导体材料 [17]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Fabrication and luminescence characterization of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities 期刊论文 acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 10, 页码: 7073-7077 Peng YS (Peng Yin-Sheng); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Xu B (Xu Bo); Niu JB (Niu Jie-Bin); Jia R (Jia Rui); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Liang S (Liang Song); Yang XH (Yang Xiao-Hong) 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/11/14 photonic crystal nanocavity
	Energy band alignment of SiO2/ZnO interface determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 4, 页码: art. no. 043709 作者: Zhang XW; Yin ZG; Song HP; You JB 收藏 \| 浏览/下载：80/3 \| 提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES ZNO ELECTROLUMINESCENCE OFFSETS
	The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition cubic GaN hexagonal phase content 4-circle X-ray double crystal diffraction MOLECULAR-BEAM EPITAXY GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS SILICON GAAS
	Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：42/0 \| 提交时间：2010/08/12 cubic GaN hexagonal GaN buffer layer AFM RHEED CUBIC GAN FILMS GAAS DEPENDENCE NITRIDE LAYERS
	The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition cubic GaN hexagonal phase content 4-circle X-ray double crystal diffraction MOLECULAR-BEAM EPITAXY GALLIUM NITRIDE THIN-FILMS SILICON GAAS
	Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 cubic GaN buffer layer atomic force microscopy reflection high-energy electron diffraction MOVPE
	Effect of Si doping on cubic GaN films grown on GaAs(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 206, 期号: 1-2, 页码: 150-154 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2010/08/12 GaN cubic hexagonal photoluminescence XRD DOPED GAN SILICON SEMICONDUCTORS SAPPHIRE LIGHT-EMITTING DIODES
	Scanning electron microscope studies of cubic AlxGa1-xN films grown on GaAs(100) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 203, 期号: 1-2, 页码: 40-44 作者: Zhao DG 收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2010/08/12 AlGaN cubic hexagonal SEM MOVPE GAAS GAN
	Cubic InGaN grown by MOCVD 期刊论文 mrs internet journal of nitride semiconductor research, 1999, 卷号: 4, 期号: 0, 页码: art.no.g3.25 Li JB; Yang H; Zheng LX; Xu DP; Wang YT 收藏 \| 浏览/下载：35/0 \| 提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY GALLIUM NITRIDE GAN GAAS
	The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process 会议论文 symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997 Zheng LX; Liang JW; Yang H; Li JB; Wang YT; Xu DP; Li XF; Duan LH; Hu XW 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2010/10/29

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