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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2014 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Two-dimensional electron and hole gases in InxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN heterostructure for enhancement mode operation
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 5, 页码: 054502
Yan, JD
;
Wang, XL
;
Wang, Q
;
Qu, SQ
;
Xiao, HL
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Yin, HB
;
Jiang, LJ
;
Li, BQ
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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提交时间:2015/03/25
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 10105
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Yan, JD
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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提交时间:2015/03/20
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