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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2017, 卷号: 121, 页码: 193901 作者:  X. L. Zeng;  J. L. Yu;  S. Y. Cheng;  Y. F. Lai, Y. H. Chen;  W. Huang 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/05/23 In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically δ-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 8, 页码: 083504- 083504-5 J. L. Yu, Y. H. Chen, X. Bo, C. Y. Jiang, X. L. Ye, S. J. Wu, H. S. Gao 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/02/12 Intrinsic photoinduced anomalous Hall effect in insulating GaAs_AlGaAs quantum wells at room temperature 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 20, 页码: 202408 - 202408-5 J. L. Yu, Y. H. Chen, Y. Liu, C. Y. Jiang, H. Ma, L. P. Zhu, X. D. Qin 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/03/18 Observation of circular dichroism in (001)-oriented P-I-N InGaAs/GaAs quantum wells without magnetic field 期刊论文 applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: 072404 Yu, J. L.; Chen, Y. H.; Liu, Y.; Jiang, C. Y.; Ma, H.; Zhu, L. P.; Qin, X. D. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/22 In-plane optical anisotropy induced by asymmetrically delta-doping in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 8, 页码: 083504 Yu, J. L.; Chen, Y. H.; Bo, X.; Jiang, C. Y.; Ye, X. L.; Wu, S. J.; Gao, H. S. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 In-plane optical anisotropy in GaAsN/GaAs single-quantum well investigated by reflectance-difference spectroscopy 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 1, 页码: art. no. 013516 Yu JL (Yu J. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Ye XL (Ye X. L.); Jiang CY (Jiang C. Y.); Jia CH (Jia C. H.) 收藏  |  浏览/下载：293/18  |  提交时间：2010/08/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN RELAXATION  GROWTH TEMPERATURE  INTERFACE  ALLOYS  GAAS  HETEROSTRUCTURES  MICROSTRUCTURE  GANXAS1-X  NITROGEN