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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
会议论文 [3]
期刊论文 [3]
发表日期
2001 [4]
1999 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
optical microscopy
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
SAPPHIRE
DEPOSITION
FILMS
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 816-819
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:79/6
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
Epitaxial growth of SiC on complex substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 811-815
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:95/9
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提交时间:2010/08/12
optical microscopy
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
SAPPHIRE
DEPOSITION
FILMS
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HYDROCARBON RADICALS
SI(001) SURFACE
BEAM
The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567
Wang YS
;
Li JM
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
Si
SiC
carbonization
RHEED
single crystal epilayer
HYDROCARBON RADICALS
SI(001) SURFACE
BEAM
HETEROEPITAXIAL GROWTH
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