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科研机构
半导体研究所 [17]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [4]
发表日期
2014 [1]
2004 [3]
2001 [2]
2000 [5]
1999 [3]
1998 [3]
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学科主题
半导体材料 [17]
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学科主题:半导体材料
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Large and robust electrical spin injection into GaAs at zero magnetic field using an ultrathin CoFeB/MgO injector
期刊论文
physical review b, 2014, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 085310
Liang, SH
;
Zhang, TT
;
Barate, P
;
Frougier, J
;
Vidal, M
;
Renucci, P
;
Xu, B
;
Jaffres, H
;
George, JM
;
Devaux, X
;
Hehn, M
;
Marie, X
;
Mangin, S
;
Yang, HX
;
Hallal, A
;
Chshiev, M
;
Amand, T
;
Liu, HF
;
Liu, DP
;
Han, XF
;
Wang, ZG
;
Lu, Y
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/03/25
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
期刊论文
micron, 2004, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 475-480
Luo, XH
;
Wang, RM
;
Zhang, XP
;
Zhang, HZ
;
Yu, DP
;
Luo, MC
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浏览/下载:145/32
  |  
提交时间:2010/03/09
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
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浏览/下载:18/1
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提交时间:2010/10/29
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Large-scale synthesis of single-phase, high-quality GaN nanocrystallites
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2004, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: 753-755
Wang JC
;
Yu DP
;
Li CY
;
Zhou JF
;
Wang YZ
;
Feng SQ
收藏
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浏览/下载:230/78
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提交时间:2010/03/09
LIGHT-EMITTING-DIODES
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:85/11
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提交时间:2010/08/12
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
nitrides
semiconducting III-V materials
PHASE
FILMS
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal GaN
buffer layer
AFM
RHEED
CUBIC GAN
FILMS
GAAS
DEPENDENCE
NITRIDE
LAYERS
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
buffer layer
atomic force microscopy
reflection high-energy electron diffraction
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