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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Sol-gel synthesis of Y2O3-doped ZnO thin films varistors and their electrical properties 期刊论文 transactions of nonferrous metals society of china, 2012, 卷号: 22, 页码: s110-s114 Xu D (Xu Dong); Jiang B (Jiang Bin); Jiao L (Jiao Lei); Cui FD (Cui Feng-dan); Xu HX (Xu Hong-xing); Yang YT (Yang Yong-tao); Yu RH (Yu Ren-hong); Cheng XN (Cheng Xiao-nong) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/03/26 Growth and characterization of InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistor structures towards high channel conductivity 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 3, 页码: 309-314 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 PHEMT  high channel conductivity  MBE  HETEROSTRUCTURES  GAS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 期号: 0, 页码: 197-201 Duan SK; Teng XG; Wang YT; Li GH; Jiang HX; Han P; Lu DC 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MgAl2O4  MOVPE  LED  DIODES   Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 nanometer island  InAs  molecular beam epitaxy  atomic force microscopy  quantum dot  GAAS  LASERS  GROWTH  ASSEMBLED QUANTUM DOTS   MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文 2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997 Duan SK; Teng XG; Wang YT; Li GH; Jiang HX; Han P; Lu DC 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/15 GaN  MgAl2O4  MOVPE  LED  DIODES