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科研机构
半导体研究所 [5]
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期刊论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2006 [2]
2002 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111)
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299
Wu, JJ
;
Zhao, LB
;
Zhang, GY
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Jia, QJ
;
Guo, LP
;
Hu, TD
收藏
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浏览/下载:66/3
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACTANT
SUBSTRATE
STRESS
SI
REDUCTION
SAPPHIRE
Effect of an indium-doped barrier on enhanced near-ultraviolet emission from InGaN/AlGaN: In multiple quantum wells grown on Si(111)
期刊论文
nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: art.no.015402
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Zhang GY (Zhang Guoyi)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
收藏
  |  
浏览/下载:122/0
  |  
提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: 124-128
Zheng XH
;
Feng ZH
;
Wang YT
;
Zheng WL
;
Jia QJ
;
Jiang XM
;
Yang H
;
Liang JW
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浏览/下载:125/0
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提交时间:2010/08/12
nucleation layers
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
LIGHT-EMITTING-DIODES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AIN BUFFER LAYER
GROWN GAN
SAPPHIRE SUBSTRATE
QUALITY
FILMS
BLUE
TEMPERATURE
EVOLUTION
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