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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Stimulated emission at 272 nm from an AlxGa1-xN-based multiple-quantum-well laser with two-step etched facets 期刊论文 rsc advances, 2016, 卷号: 6, 期号: 55, 页码: 50245-50249 Yingdong Tian; Yun Zhang; Jianchang Yan; Xiang Chen; Junxi Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/06/01 Formation and characteristics of AlGaN-based three-dimensional hexagonal nanopyramid semi-polar multiple quantum wells 期刊论文 nanoscale, 2016, 卷号: 8, 期号: 21, 页码: 11012–11018 Yingdong Tian; Jianchang Yan; Yun Zhang; Yonghui Zhang; Xiang Chen; Yanan Guo; Junxi Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2016/06/01 GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method 会议论文 solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 中国深圳, 2015 Yingdong Tian; Yun Zhang; Jianchang Yan; Xiang Chen; Yanan Guo; Xuecheng Wei; Junxi Wang; Jinmin Li 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2016/06/02 AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 作者:  Hou QF;  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/03/09 ALGAN/GAN HEMTS   A High Performance AlGaN/GaN HEMT with a New Method for T-Gate Layout Design 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1654-1656 作者:  Zhang Yang;  Zhang Renping 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23