QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性 期刊论文 发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 135-138 作者:  韩培德;  黎大兵 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究 期刊论文 发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 380-384 作者:  黎大兵;  韩培德 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 GaN的声表面波特性研究 期刊论文 发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 161-164 作者:  韩培德;  黎大兵 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED 期刊论文 液晶与显示, 2001, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 1 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1030 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 MOVPE生长InGaN/GaN单量子阱绿光LED 期刊论文 高技术通讯, 2001, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 38 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 P型GaN和AlGaN外延材料的制备 期刊论文 高技术通讯, 2000, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 26 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaN/AlGaN双异质结蓝光和绿光发光二极管 期刊论文 高技术通讯, 2000, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 43 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 414 作者:  徐萍;  韩培德 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaN/GaN单量子阱绿光发光二极管 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 726 作者:  韩培德 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23