InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管

	InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管
	徐萍; 韩培德
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:4 页码:414
中文摘要	报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED。
英文摘要	报道了用LP-MOVPE技术在蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底上生长出以双掺Zn和Si的InGaN为有源区的绿光InGaN/AlGaN双异质结结构，并研制成功发射波长为520-540nm的绿光LED。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:48导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5449.pdf: 252274 bytes, checksum: f56be6ef2875800abce6f82a107d2725 (MD5) Previous issue date: 2000; 国家863计划; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18803]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	徐萍,韩培德. InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管[J]. 半导体学报,2000,21(4):414.
APA	徐萍,&韩培德.(2000).InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管.半导体学报,21(4),414.
MLA	徐萍,et al."InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管".半导体学报 21.4(2000):414.