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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [1]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1998 [4]
学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:
Zhang SM
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  |  
浏览/下载:252/65
  |  
提交时间:2010/08/12
gallium nitride
MOCVD
in situ laser reflectometry
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
IN-SITU
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
FILMS
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:87/5
  |  
提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Epitaxial lateral overgrowth of cubic GaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:131/40
  |  
提交时间:2010/08/12
photoluminescence
SEM
epitaxial lateral overgrowth
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
PHASE EPITAXY
SELECTIVE GROWTH
LASER-DIODES
LAYERS
Scanning electron microscope studies of cubic AlxGa1-xN films grown on GaAs(100) by metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE)
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 203, 期号: 1-2, 页码: 40-44
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/08/12
AlGaN
cubic
hexagonal
SEM
MOVPE
GAAS
GAN
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/10/29
Effects of growth interruption on self-assembled InAs/GaAs islands
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 97-101
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs
islands
MBE
PL
growth interruption
ORGANIZATION
TRANSITION
GAAS
QUANTUM
Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650
Xu DP
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Wang XJ
;
Duan LH
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
NITRIDATION
Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255
Zheng LX
;
Yang H
;
Xu DP
;
Wang XJ
;
Li XF
;
Li JB
;
Wang YT
;
Duan LH
;
Hu XW
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
nitrides
MOCVD
surface morphology
growth mechanism
PHASE EPITAXY
GAAS
OSCILLATIONS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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