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Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125
Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying
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GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 142-144
作者:  刘超
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MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 484-488
王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤
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Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1050
林燕霞; 黄大定; 张秀兰; 刘金平; 李建平; 高飞; 孙殿照; 曾一平; 孔梅影
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用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 142
刘学锋; 李晋闽; 孔梅影; 黄大定; 李建平; 林兰英
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 287
作者:  王玉田
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低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 559
李建平; 黄大定; 刘金平; 刘学锋; 李灵宵; 朱世荣; 孙殿照; 孔梅影
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GSMBE原位生长SiGeHBT材料 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 1049
黄大定; 刘金平; 李建平; 林燕霞; 刘学锋; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英
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GSMBE 生长掺杂 Si 及GeSi/Si合金及其电学性质研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 896
刘学锋; 刘金平; 李建平; 李灵霄; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英
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气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 389
刘学锋; 刘金平; 李建平; 孙殿照; 孔梅影; 林兰英
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