MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT

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	MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
	王晓亮 ; 胡国新 ; 王军喜 ; 刘宏新 ; 孙殿照 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 孔梅影 ; 林兰英 ; 刘新宇 ; 刘键 ; 钱鹤
刊名	固体电子学研究与进展
	2003
卷号	23 期号:4 页码:484-488
中文摘要	用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80 μm＝1.6 mm)的大尺寸器件,该器件的最大漏极饱和电流为1.33 A.
英文摘要	用分子束外延(MBE)技术研制出了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其室温迁移率为1 035 cm2/Vs、二维电子气浓度为1.0×1013 cm-2;77 K迁移率为2 653 cm2/V*s、二维电子气浓度为9.6×1012 cm-2.用此材料研制了栅长为1 μm、栅宽为80 μm、源-漏间距为4 μm的AlGaN/GaN HEMT,其室温最大非本征跨导为186 mS/mm、最大漏极饱和电流密度为925 mA/mm、特征频率为18.8 GHz.另外,还研制了具有20个栅指(总栅宽为20×80 μm＝1.6 mm)的大尺寸器件,该器件的最大漏极饱和电流为1.33 A.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4808.pdf: 380710 bytes, checksum: 48ac1aafb410a9136609c6e78a40bc8f (MD5) Previous issue date: 2003; 中科院创新项目经费,国家自然科学基金重点项目,"863"经费的资助; 中科院半导体所材料科学中心;中国科学院微电子中心
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	中科院创新项目经费,国家自然科学基金重点项目,"863"经费的资助
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17575]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王晓亮,胡国新,王军喜,等. MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J]. 固体电子学研究与进展,2003,23(4):484-488.
APA	王晓亮.,胡国新.,王军喜.,刘宏新.,孙殿照.,...&钱鹤.(2003).MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT.固体电子学研究与进展,23(4),484-488.
MLA	王晓亮,et al."MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT".固体电子学研究与进展 23.4(2003):484-488.