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科研机构
半导体研究所 [17]
内容类型
期刊论文 [11]
会议论文 [6]
发表日期
2012 [1]
2010 [2]
2008 [1]
2002 [1]
2001 [2]
2000 [5]
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学科主题
半导体材料 [17]
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共17条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Structural, electronic and elastic properties of wurtzite-structured TlxAl1-xN alloys from first principles
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2012, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 499-504
Shi LW (Shi, Liwei)
;
Duan YF (Duan, Yifeng)
;
Yang XQ (Yang, Xianqing)
;
Tang G (Tang, Gang)
;
Qin LX (Qin, Lixia)
;
Qiu L (Qiu, Liang)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/03/27
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Superconductivity in Iron Telluride Thin Films under Tensile Stress
期刊论文
physical review letters, 104 (1): jan 8 2010, 2010, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 017003
作者:
Wang XY
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浏览/下载:73/14
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提交时间:2010/04/13
43 K
FESE
COMPOUND
PRESSURE
Polarization-Independent Micro-Ring Resonator on Silicon-on-Insulator
会议论文
2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008
Geng, MM
;
Jia, LX
;
Zhang, L
;
Yang, L
;
Liu, YL
;
Li, F
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/09
WAVE-GUIDES
DEVICES
DESIGN
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
physica status solidi a-applied research, 2001, 卷号: 188, 期号: 2, 页码: 681-685
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
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浏览/下载:79/12
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-TRANSITIONS
PHOTOLUMINESCENCE
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
4th international conference on nitride semiconductors (icns-4), denver, colorado, jul 16-20, 2001
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
OPTICAL-TRANSITIONS
PHOTOLUMINESCENCE
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
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浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
Investigation on the origin of wurtzite domains in thick cubic GaN using reactive ion etching
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 372, 期号: 1-2, 页码: 25-29
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LIGHT-EMITTING-DIODES
YELLOW LUMINESCENCE
GROWTH
HETEROSTRUCTURE
NITRIDE
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/11/15
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
hexagonal phase content
4-circle X-ray double crystal diffraction
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
THIN-FILMS
SILICON
GAAS
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