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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2017 [3]
2015 [3]
2006 [3]
学科主题
光电子学 [9]
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学科主题:光电子学
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Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold
期刊论文
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 9, 页码: 2462-2466
作者:
X. LI
;
Z. S. LIU
;
D. G. ZHAO
;
D. S. JIANG
;
P. CHEN
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/07/11
Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2018/07/11
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
H. Long
;
M. Li
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/07/11
Localization effect in green light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with varying well thickness
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 625, 页码: 266–270
W. Liu
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
M. Shi
;
D.M. Zhao
;
X. Li
;
J.P. Liu
;
S.M. Zhang
;
H. Wang
;
H. Yang
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2016/03/23
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells
期刊论文
optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 15935
W. Liu
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
M. Shi
;
D. M.Zhao
;
X. Li
;
J. P. Liu
;
S. M. Zhang
;
H. Wang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T.Du
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/03/23
A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold
期刊论文
superlattices and microstructures, 2015, 卷号: 80, 期号: 2015, 页码: 111–117
X. Li
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
M. Shi
;
D.M. Zhao
;
W. Liu
;
J.J. Zhu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2016/03/23
Effect of Al incorporation on the AlGaN growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 5, 页码: 2452-2455
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, Hui)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Li, XY (Li, X. Y.)
;
Gong, HM (Gong, H. M.)
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/29
Al incorporation
Effect of lightly Si doping on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 25, 页码: art.no.252101
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Hao XP (Hao X. P.)
;
Wei L (Wei L.)
;
Li X (Li X.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/04/11
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON-BEAM
VACANCIES
Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: art.no.112106
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
SCATTERING
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