×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2011 [1]
学科主题
光电子学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
High-mobility germanium-tin(GeSn) P-channel MOSFETs featuring metallic source/drain and sub-370C process modules
期刊论文
technical digest- international electron devices meeting, iedm, 2011, 页码: 16.7.1-16.7.3
Han, Genquan
;
Su, Shaojian
;
Zhan, Chunlei
;
Zhou, Qian
;
Yang, Yue
;
Wang, Lanxiang
;
Guo, Pengfei
;
Wei, Wang
;
Wong, Choun Pei
;
Shen, Ze Xiang
;
Cheng, Buwen
;
Yeo, Yee-Chia
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2012/06/13
Electron devices
Germanium
Tin
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace