|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du
  收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
applied physics a, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
materials technology, 2016
F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes 期刊论文
optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831
J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; L. Q. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2017/03/10 |
| High-performance 1.55 mu m low-temperature-grown GaAs resonant-cavity-enhanced photodetector 期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.131104
Han Q (Han Q.); Niu ZC (Niu Z. C.); Peng LH (Peng L. H.); Ni HQ (Ni H. Q.); Yang XH (Yang X. H.); Du Y (Du Y.); Zhao H (Zhao H.); Wu RH (Wu R. H.); Wang QM (Wang Q. M.)
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2010/04/11
|
