QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors 期刊论文 Microelectronics Journal, 2019 作者:  L.F. Deng;  C.M. Si;  H.Q. Huang;  J. Wang;  H. Wen 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/13 Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors 期刊论文 Microelectronics Journal, 2019, 卷号: Vol.88, 页码: 61-66 作者:  Deng, L.F.;  Si, C.M.;  Huang, H.Q.;  Wang, J.;  Wen, H. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/13 Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors 期刊论文 Microelectronics Journal, 2019, 卷号: Vol.88, 页码: 61-66 作者:  L.F. Deng;  C.M. Si;  H.Q. Huang;  J. Wang;  H. Wen 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13