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	Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors
	L.F. Deng; C.M. Si; H.Q. Huang; J. Wang; H. Wen; Seongil Im
刊名	Microelectronics Journal
	2019
ISSN号	0026-2692
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公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4616268
专题	湖南大学
作者单位	b Department of Physics and Institute of Physics and Applied Physics, Yonsei University, Seoul, 120-749, South Korea a College of Electrical and Information Engineering, Hunan University, 410082, Changsha, Hunan Province, China
推荐引用方式 GB/T 7714	L.F. Deng,C.M. Si,H.Q. Huang,et al. Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors[J]. Microelectronics Journal,2019.
APA	L.F. Deng,C.M. Si,H.Q. Huang,J. Wang,H. Wen,&Seongil Im.(2019).Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors.Microelectronics Journal.
MLA	L.F. Deng,et al."Explicit continuous I-V model for 2D transition metal dichalcogenide field-effect transistors".Microelectronics Journal (2019).

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